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厂商型号

JANTXV2N2907A 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT JANTXV2N2907A

内部编号

277-JANTXV2N2907A

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:2942
1+¥40.4513
25+¥37.5234
100+¥35.9823
500+¥34.5954
1000+¥32.8233
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:2942
1+¥40.4513
25+¥37.5234
100+¥35.9823
500+¥34.5954
1000+¥32.8233
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:5
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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

JANTXV2N2907A产品详细规格

规格书 JANTXV2N2907A datasheet 规格书
封装 Tube
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 VDC
最大功率耗散 625 mW
集电极最大直流电流 - 600 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 60 V
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-18
RoHS No
连续集电极电流 - 600 mA
集电极电流( DC)(最大值) 0.6 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 60 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 0.625 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -65C to 200C
包装类型 TO-18
引脚数 3
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 200 MHz
直流电流增益 75
集电极电流(DC ) 0.6 A
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 625 mW

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